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離子束蝕刻:復(fù)雜表面結(jié)構(gòu)的精確處理

離子束蝕刻法是一種高精度的表面加工方法,也被稱為離子束磨法。帶正電荷的離子束(通常是氦離子)被加速到襯底上。因此,離子將其動能轉(zhuǎn)移到表面原子,導(dǎo)致它們被噴出,從而去除材料。為了達(dá)到均勻而準(zhǔn)確的蝕刻效果,在該過程中基材被旋轉(zhuǎn),而離子束的直徑比基材大。

離子束蝕刻的優(yōu)點(diǎn):

高精度-通過蝕刻在一個定義的入射角和可調(diào)離子能,甚至復(fù)雜的結(jié)構(gòu)可以創(chuàng)造高精度。

低襯底溫度,最大限度地減少熱引起的變形或?qū)Σ牧系膿p害。

高通用性:離子束蝕刻適合廣泛的材料,包括金屬,半導(dǎo)體,聚合物和陶瓷。

表面清潔:氧化物層或其他污染物可以從表面清除。

離子束蝕刻的特殊形式是 反應(yīng)離子束蝕刻 (里貝)和 化學(xué)輔助離子束蝕刻 (Caibe),除惰性氣體外,還使用活性氣體,例如。,增加選擇性,影響溝槽角或提高蝕刻速率。

1、Scia Moll150

小型生產(chǎn)系統(tǒng)和150mm底材的研發(fā)應(yīng)用

離子束蝕刻

反應(yīng)離子束蝕刻

化學(xué)輔助離子束蝕刻

特點(diǎn)和益處：

可傾斜和可旋轉(zhuǎn)襯底架的蝕刻角調(diào)整

無塑造器的優(yōu)良均勻性

活性氣體的選擇性和速率提高

采用精確的西姆斯或光學(xué)端點(diǎn)檢測進(jìn)行工藝控制

適應(yīng)可變基板尺寸的載體概念

由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓

應(yīng)用程序：

由迪亞斯紅外有限公司提供的蝕刻邊緣掃描圖像。

熱釋電傳感器用光刻膠和15度入射角蝕酸鋰蝕刻。

左:標(biāo)準(zhǔn)光刻膠面膜,邊緣鋒利。

右:優(yōu)化后的光刻膠邊緣光滑,提高了傳感器的電合性能.

磁記憶(MRAM)和傳感器的結(jié)構(gòu)化

金屬在MEMS生產(chǎn)中的軋制(非洲、俄羅斯、美國、…)

不同金屬和介質(zhì)材料多層軋制

復(fù)合半導(dǎo)體的化學(xué)輔助離子束蝕刻(CAAS,GAN,INP,…)

生產(chǎn)三維光電微結(jié)構(gòu)

離子束平滑用于減小微細(xì)度

反射離子束蝕刻用于光光柵模式傳輸(sio2)
 

申請表：

地面浮雕光柵 電子設(shè)備和電子設(shè)備

磁多層 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors

制造超薄鈦酸鋰 紅外傳感器

逆向工程 集成電路芯片設(shè)備

原則：

圓形離子束源在惰性或活性氣體的一定角度下蝕刻整個襯底區(qū)域
 

技術(shù)：

離子束蝕刻/離子束研磨
使用惰性氣體離子的準(zhǔn)直束結(jié)構(gòu)或材料去除。

反應(yīng)離子束蝕刻
將活性氣體引入離子束源中,用于表面的活性蝕刻。

化學(xué)輔助離子束蝕刻
使用活性氣體獨(dú)立于離子束進(jìn)行表面的活性蝕刻。

2、Scia Moll200

大規(guī)模生產(chǎn)不超過200毫米的晶圓的系統(tǒng)

離子束蝕刻

反應(yīng)離子束蝕刻

化學(xué)輔助離子束蝕刻

咨詢電話：13522079385

全表面離子束蝕刻200mm晶圓

… 200 是設(shè)計(jì)用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多層各種材料。為了精確的工藝控制,可以配備不同的端點(diǎn)檢測系統(tǒng).該系統(tǒng)具有完全活性氣體兼容性,使反應(yīng)蝕刻過程具有更高的選擇性和速率。該靈活設(shè)計(jì)的科學(xué)磨機(jī)200使其適應(yīng)作為單一的基板版本,以及在高產(chǎn)量的生產(chǎn)集群布局最多三個加工室和兩個卡式負(fù)載鎖。 

特點(diǎn)和益處

可傾斜和可旋轉(zhuǎn)襯底架的蝕刻角調(diào)整

無塑造器的優(yōu)良均勻性

活性氣體的選擇性和速率提高

采用精確的西姆斯或光學(xué)端點(diǎn)檢測進(jìn)行工藝控制

由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓

可變集群布局全自動磁帶處理,包括SESS/GEM通信

應(yīng)用程序

使用Sims光譜法對旋轉(zhuǎn)式傳感器的層棧進(jìn)行蝕刻,可以確定層的變化邊界,從而精確地定義角度和蝕刻停止點(diǎn)的變化。左邊:層棧。右:西姆斯材料檢測。

磁記憶(MRAM)和傳感器的結(jié)構(gòu)化

金屬在MEMS生產(chǎn)中的軋制(非洲、俄羅斯、美國、…)

不同金屬和介質(zhì)材料多層軋制

復(fù)合半導(dǎo)體的化學(xué)輔助離子束蝕刻(CAAS,GAN,INP,…)

生產(chǎn)三維光電微結(jié)構(gòu)

離子束平滑用于減小微細(xì)度

反射離子束蝕刻用于光光柵的模式傳輸 2 )
 

申請表

地面浮雕光柵 電子設(shè)備和電子設(shè)備

磁多層 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors

制造超薄鈦酸鋰 紅外傳感器

逆向工程 集成電路芯片設(shè)備

原則

圓形離子束源在惰性或活性氣體的一定角度下蝕刻整個襯底區(qū)域
 

技術(shù)

離子束蝕刻/離子束研磨
使用惰性氣體離子的準(zhǔn)直束結(jié)構(gòu)或材料去除。

反應(yīng)離子束蝕刻
將活性氣體引入離子束源中,用于表面的活性蝕刻。

化學(xué)輔助離子束蝕刻
使用活性氣體獨(dú)立于離子束進(jìn)行表面的活性蝕刻。

3、Scia Moll300

300mm以下晶圓的全表面蝕刻系統(tǒng)

離子束蝕刻

反應(yīng)離子束蝕刻

化學(xué)輔助離子束蝕刻

300mm晶圓上復(fù)雜多層結(jié)構(gòu)的構(gòu)建

…  300 是為?離子束蝕刻 有300毫米直徑的襯底材料。不同的端點(diǎn)檢測系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)精確的過程控制,而且系統(tǒng)的全反應(yīng)氣體兼容性能夠提高選擇性和速率的反應(yīng)蝕刻過程。本系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活,既可用于帶卡式裝載的大批量生產(chǎn),又可用于單基板負(fù)載鎖定的小型生產(chǎn)。

特點(diǎn)和益處：

可傾斜和可旋轉(zhuǎn)襯底架的蝕刻角調(diào)整

無塑造器的優(yōu)良均勻性

活性氣體的選擇性和速率提高

采用精確的西姆斯或光學(xué)端點(diǎn)檢測進(jìn)行工藝控制

由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓

可變集群布局全自動磁帶處理,包括SESS/GEM通信

應(yīng)用程序

斜面浮雕光柵(SRG)作為增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)光耦合器(AR)的反應(yīng)離子束蝕刻。左邊:離子束在不同入射角下蝕刻。右:從原理和掃描電鏡結(jié)果看蝕刻石英光柵。

磁記憶(MRAM)和傳感器的結(jié)構(gòu)化

金屬在MEMS生產(chǎn)中的軋制(非洲、俄羅斯、美國、…)

不同金屬和介質(zhì)材料多層軋制

復(fù)合半導(dǎo)體的化學(xué)輔助離子束蝕刻(CAAS,GAN,INP,…)

生產(chǎn)三維光電微結(jié)構(gòu)

離子束平滑用于減小微細(xì)度

反射離子束蝕刻用于光光柵模式傳輸(sio2)
 

申請表：

地面浮雕光柵 電子設(shè)備和電子設(shè)備

磁多層 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors

制造超薄鈦酸鋰 紅外傳感器

逆向工程 集成電路芯片設(shè)備

原則：

圓形離子束源在惰性或活性氣體的一定角度下蝕刻整個襯底區(qū)域
 

技術(shù)：

離子束蝕刻/離子束研磨
使用惰性氣體離子的準(zhǔn)直束結(jié)構(gòu)或材料去除。

反應(yīng)離子束蝕刻
將活性氣體引入離子束源中,用于表面的活性蝕刻。

化學(xué)輔助離子束蝕刻
使用活性氣體獨(dú)立于離子束進(jìn)行表面的活性蝕刻。